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【2h】

ERRATUM: 'BASE COMPOSITION EFFECTS STUDY ON NBR CURRENT AND CURRENT GAIN IN SiGe HBT'

机译：错误：“SiGE HBT中NBR电流和电流增益的基础组成效应研究”

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HOSSEIN DAVOODI; HASSAN KAATUZIAN;
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年度 2013
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1. Base composition effects study on nbr current and current gain in sige HBT [J] . Davoodi H., Kaatuzian H. International Journal of Modern Physics, B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics . 2013,第19期

机译：Sige HBT中nbr电流和电流增益的基础组成效应研究
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3. Current gain of SiGe HBTs under highbase doping concentrations [J] . Ningyue Jiang, Zhenqiang Ma Semiconductor science and technology . 2007,第1期

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4. Compositionally graded C-doped In/sub 1-x/Ga/sub x/As base in InP/InGaAs D-HBTs grown by MOCVD with low base sheet resistance and high current gain [C] . Ohkubo, M., Osabe, Indium Phosphide and Related Materials, 1997., International Conference on . 1997

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