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机译:具有高直流电流增益的高性能微波AlGaAs-InGaAs Pnp HBT
机译:具有54 GHz f / sub max /的AlGaAs / GaAs Pnp HBT及其在高性能互补技术中的应用
机译:复合电流对HBT电流增益的影响
机译:CE和CB配置中的微波SiGe HBT的一致性建模和功率增益分析
机译:SOI上npn和pnp SiGe HBT的早期电压,电流增益和击穿特性的温度相互作用
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:非常高的电压操作(> 330 V),高电流增益AlGaN / GaN HBT