Ge-Si alloys; doping profiles; heterojunction bipolar transistors; ion recombination; semiconductor doping; SiGe; SiGe HBT; base doping concentrations; maximum current gain; neutral base recombination; optimal germanium profile;
机译:高基极掺杂浓度下SiGe HBT的电流增益
机译:高碱掺杂浓度下SiGe HBT的电流增益
机译:高性能SiGe HBT高硼掺杂超浅碱的形成
机译:高基掺杂浓度下SiGe HBT的电流增益
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:错误:“SiGE HBT中NBR电流和电流增益的基础组成效应研究”