机译:中间层耦合和带偏移对垂直MOS2 / MOS2(1-X)SE2X结构中的第二谐波产生的影响
Univ Ulsan Dept Phys Ulsan 44610 South Korea;
Sogang Univ Dept Phys Seoul 04107 South Korea;
Univ Ulsan Dept Phys Ulsan 44610 South Korea;
Univ Ulsan Dept Phys Ulsan 44610 South Korea;
Univ Ulsan Dept Phys Ulsan 44610 South Korea;
Univ Ulsan Sch Mech Engn Ulsan 44610 South Korea;
Univ Ulsan Sch Mech Engn Ulsan 44610 South Korea;
Sogang Univ Dept Phys Seoul 04107 South Korea;
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transition metal dichalcogenides; monolayer alloys; vertical heterostructures; resonantly enhanced second harmonic generation; interlayer coupling;
机译:中间层耦合和带偏移对垂直MOS2 / MOS2(1-X)SE2X结构中的第二谐波产生的影响
机译:层间极化场对WS2 / MoS2和WSe2 / MoSe2异质结构能带结构的影响
机译:层间耦合和电场对石墨烯和MoS2异质双层电子结构的影响
机译:直接生长的MoS2 / WS2异质结构中的第二谐波产生
机译:2D MOS2和MOS2 / WS2 Hetrosture的纳米结构表征,制造和装置
机译:WS2 / MoS2异质结构中层间激子的调谐控制通过增强的三重共振增强耦合。
机译:半导体:大面积2D MOS2(1-X)SE2X半导体合金的生长(ADV。Mater。17/2014)