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王文杰; 康智林; 宋茜; 王鑫; 邓加军; 丁迅雷; 车剑滔;
华北电力大学数理学院物理系,北京 102206;
化学气相沉积法; MoS2(1-x)Se2x合金; 堆叠生长; 电子结构;
机译:用于增强氢气进化反应性能的MOS2(1-X)SE2X和WS2(1-X)SE2X合金的合成
机译:中间层耦合和带偏移对垂直MOS2 / MOS2(1-X)SE2X结构中的第二谐波产生的影响
机译:MoS2(1-x)Se2x和MoS2(1-x)Te2x单层的电子和光学性质
机译:应变耦合多堆叠InAs / GaAs量子点异质结构中点层数目变化的影响的详细研究
机译:外延(III-V)(1-x)(IV(2))(x)亚稳态半导体的生长机理和电子结构。
机译:CVD生长过渡金属双硫属化物中的低频拉曼模式的映射:层数堆叠方向和共振效应。
机译:半导体:大面积2D MOS2(1-X)SE2X半导体合金的生长(ADV。Mater。17/2014)
机译:用递归方法计算Ga as(1-X)p(x)和Ga sb(1-x)p(x)的电子结构。
机译:Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体的生长方法以及Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体衬底
机译:电子结构,包括至少一个金属-外延生长层以及制造电子结构的方法
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