Фотовольтаические структуры ITO/SiO_x/n-Si повышенной эффективности

摘要

Изготовлены структуры ITO/SiO_x/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiO_x/n-Si с инверсным слоем демонстрируют в условиях AM 1,5 эффективность, близкую к 16%.