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机译:氧化物/接口阱对Al / Yb_2O_3 / SiO_2 / N-Si / Al MOS电容器电气特性的影响
Department of Physics Bursa Technical University 16310 Bursa Turkey;
Department of Physics Bursa Uludag University 16059 Bursa Turkey;
Department of Physics Bolu Abant Izzet Baysal University 14030 Bolu Turkey Nuclear Radiation Detectors Applications and Research Center Bolu Abant Izzet Baysal University 14030 Bolu Turkey;
机译:串联电阻和界面状态对Al / ER_2O_3 / EU_2O_3 / SIO_2 / N-Si / Al MOS电容器的电气性能的影响
机译:氧化物接口陷阱在Al / Yb2O3 / N-Si / Al上的影响和起源对电学特性的影响
机译:氧化物和界面陷阱对沉积后退火HFSIO_4 / N-Si结构的电气特性的影响
机译:氧化后退火对氧化氮的影响SiO_2 / 4H-SiC界面的形态学和电性能
机译:氮化镓和硅基金属氧化物半导体(MOS)电容器的电气特性。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:3C-SiC金属氧化物半导体电容器中近界面陷阱的电学特性
机译:辐射对氧化铪基mOs电容器电性能的影响