SiCウエハーの生産能力2.5倍に昭和電工

摘要

昭和電工は、秩父事業所（埼玉県秩父市）で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥を制御したパワー半導体用4インチ径SiC（炭化シリコン）エピタキシャルウェハーの生産能力を設備の増設と生産技術の向上により従来に比べて2.5倍の月産1,500枚まで増強した。SiCエピタキシヤルウェハーを用いるSiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）半導体に比べて高電圧大電流に耐える性質と高温環境下でも動作する特徴を持っている。