Напряженные структуры GaAsSb/GaAs c квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

摘要

Найдены оптимальные режимы роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур. GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs и показано, что за счет увеличения встраивания сурьмы эффективная длинноволновая фотолюминесцения при Т = 300 К может быть получена вплоть до λ = 1.3 мкм. C ростом мощности возбуждения, кроме характерного для гетероперехода II рода коротковолнового сдвига максимума интенсивности фотолюминесценции, обнаружено возникновение коротковолновой линии, связываемой с прямыми в реальном пространстве оптическими переходами, что подтверждается результатами исследования спектров фотолюминесценции c субпико- и наносекyндным временным разрешением при импульсном возбуждении.