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王玉霞; 刘春玲; 芦鹏; 王勇; 曲轶; 刘国军;
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
半导体激光器; AlInGaAs; 特征温度; 阔值电流; 非对称波导层;
机译:通过使用温度相关反射率(TDR)反射镜,可实现非常高的特征温度和恒定的1.3- / splμm/ m的GaInAsP-InP应变层量子阱激光器的差分量子效率
机译:通过使用温度相关反射率(TDR)反射镜,具有非常高的特征温度和恒定的差分量子效率1.3μm GaInAsP / InP应变层量子阱激光器
机译:具有温度相关反射率(TDR)镜的高特征温度1.3μm GaInAsP / InP应变层量子阱激光器的增益测量
机译:所有固体源分子束外延生长的应变补偿1.3 / splμu/ m InAsP / InGaP / InP多量子阱激光器的高特征温度
机译:1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计,分析和制造技术。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:alInGaas-alGaas应变单量子阱二极管激光器的高功率,高温操作
机译:应变量子阱半导体激光器件及应变量子阱结构的制造方法
机译:压缩应变量子阱半导体激光器的外延结构和量子阱激光器
机译:具有应变量子阱和稀氮化物势垒的量子阱激光器
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