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机译:具有温度相关反射率(TDR)镜的高特征温度1.3μm GaInAsP / InP应变层量子阱激光器的增益测量
机译:通过使用温度相关反射率(TDR)反射镜,可实现非常高的特征温度和恒定的1.3- / splμm/ m的GaInAsP-InP应变层量子阱激光器的差分量子效率
机译:通过使用温度相关反射率(TDR)反射镜,具有非常高的特征温度和恒定的差分量子效率1.3μm GaInAsP / InP应变层量子阱激光器
机译:1.3μmGaInAsP / InP GRINSCH应变层量子阱激光器的高温工作
机译:1.3- / splμm/ m AlGaInAs / InP压缩应变多量子阱半导体激光器中增益特性的温度依赖性
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:用于与光波导隔离器单片集成的GaInasp / Inp1.3μmm-Tm激光器的GsmBE生长
机译:具有GaInasp光学限制层的超高效GaInasp / Gaas应变层量子阱激光器(Lambda = 980nm)。 (重新公布新的可用性信息)