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辛国锋; 陈国鹰; 花吉珍; 康志龙; 赵卫青; 安振峰; 冯荣珠; 牛健;
河北工业大学信息工程学院微电子所;
中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部;
应变单量子阱; 半导体激光器; 金属有机化合物气相淀积; 连续波; MOCVD; 结构设计; 材料结构;
机译:高功率2.4μm重应变Ⅰ型量子阱GaSb基二极管激光器,连续波输出功率超过1 W,最大功率转换效率为17.5%
机译:高功率(200 mW)应变层Ga / sub 1-x / In / sub x / As / GaAs量子阱激光器的连续工作,其发射波长为0.87> or = lambda> or = 0.95μm
机译:MOCVD生长的长腔AlGaAs-GaAs单量子阱激光二极管的连续波大功率单瓣远场工作
机译:无铝InGaAs / GaAs / InGaP应变层单量子阱脊形波导激光器的大功率连续波工作
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:alInGaas-alGaas应变单量子阱二极管激光器的高功率,高温操作
机译:从连续波半导体激光器系统产生高输出功率纳秒范围脉冲的系统和方法
机译:新型超连续光谱光源系统,具有相同相位的高功率单波长半导体激光器
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