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第一章 前言
第二章 半导体激光器的温度特性
第三章应变量子阱激光器原理和结构
第四章 高T0值压应变量子阱激光器结构设计和实验分析
致谢
参考文献
王丹;
长春理工大学;
特征温度; 应变量子阱激光器; 线性缓变折射率; 波导结构; 散热工艺;
机译:通过使用温度相关反射率(TDR)反射镜,可实现非常高的特征温度和恒定的1.3- / splμm/ m的GaInAsP-InP应变层量子阱激光器的差分量子效率
机译:具有温度相关反射率(TDR)镜的高特征温度1.3μm GaInAsP / InP应变层量子阱激光器的增益测量
机译:通过使用温度相关反射率(TDR)反射镜,具有非常高的特征温度和恒定的差分量子效率1.3μm GaInAsP / InP应变层量子阱激光器
机译:所有固体源分子束外延生长的应变补偿1.3 / splμu/ m InAsP / InGaP / InP多量子阱激光器的高特征温度
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:硅衬底上InGaN / GaN多量子阱中的应变控制复合
机译:高幅度THz和GHz应变波,由IngaN / GaN多量子阱中的压电场的超快筛选产生
机译:有机金属气相外延生长的应变层InGaas(p)/ Inp量子阱半导体激光器
机译:应变量子阱半导体激光器件及应变量子阱结构的制造方法
机译:压缩应变量子阱半导体激光器的外延结构和量子阱激光器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
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