机译:生长条件对1.3μmGaAsSb / GaAs量子阱激光器中载流子复合机理的影响
Advanced Technology Institute and Department of Physics, University of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, United Kingdom;
III-V semiconductors; electron-hole recombination; gallium arsenide; quantum well lasers; 4255Px;
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