半導体パッケージ基板用無電解Ni/Pd/Auめっき技術（第2報） ~Auワイヤボンディング強度に及ぼすAuめっき皮膜構成の影響~

摘要

概要無電解Ni/Auはワイヤホンディング前の熱処理でAuワイヤボンディング強度が低下するが，無電解Ni/Pd/Auと電 解Ni/Auは優れたAuワイヤボンディング強度を得られる。この理由を解明するため，無電解および電解めっきを組合せた9 種類の構成のAuめっき皮膜を作製し，ワイヤボンディング強度を調べた。さらに，Auめっき皮膜の表面，断面，結晶粒の大 きさと下地金属の拡散挙動を，SEM，FIB/SIM, EBSP, XPSにより評価した。Auめっき皮膜はエピタキシャル成長し，大き く成長したAu結晶粒は粒界を減少させて下地金属の粒界拡散を抑制し，良好なAuワイヤボンディング強度をもたらしてい ることが分かった。