用于Ⅲ-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法

摘要

本发明提供了一种用于III-V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au-In-Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III-V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。