半導体ポッケージ基板用無電解Pd/Auめっきプロセスの開発

摘要

近年電子機器の小型化·高機能化に伴い、高密度プリント配線板に半導体を実装したCSP（ChipSize Package）やBGA（Ball Grid Array）などのパッケージ基板が多く用いられている。これらのパッケージ基板にワイヤボンディング性及びはhだ接合性を確保するため、無電解Ni／Auめっき（ENIG）や無電解Ni／Pd/Auめっき（ENEPIG）が表面処理として用いられている。両めっき皮膜において、Ni層の標準的な厚みは5umと最も厚いため、銅配線間距離が20um以下の場合、絶縁信頼性の確保が困難になることが予測される［1］。この間題の解決方法として、Ni層を含まない無電解Pd/Auめっき（EPIG）プロセスが提案されている。今回弊社で開発したEPIGプロセスと従来のENEPIGプロセスの接合性信頼性を比較した結果について報告する。