半导体材料切割用金刚线电镀工艺研究

摘要

采用0.14 mm基线,中位值30μm的金刚石微粉,在上砂电流为1.4 A,加固电流为19.0 A的工艺条件下,生产出的半导体 切割用金刚线性能较好,其破断拉力≥50N,扭转≥100次,且工件切割尺寸偏差量<20.0μm。