東大、高い移動度をもつ二次元正孔伝導を酸化物で初めて実現、高機能酸化物エレクトロニクスの実現へ新たな道を開拓

摘要

東京大学の研究グループが、酸化物半導体の表面上に高い移動度を持つ二次元正孔伝導を実現することに初めて成功した。研究グループは汎用性が高いチタン酸ストロンチウム（SrTiO3）基板の表面上に、超高真空下で0?25nm以下の極めて薄い鉄の薄膜を室温で蒸着し、それを大気にさらして酸化鉄を形成した。SrTiO3と酸化鉄はともに絶縁体だが、これらの界面で、これまでに観測されたもっとも高い移動度（10Kにおいて約24，000cm2／Vs）をもつ二次元正孔伝導（p型伝導）が起こることを明らかにした。