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公开/公告号CN110010676B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中南大学;
申请/专利号CN201910302421.2
发明设计人 胡海龙;岳建岭;黄小忠;
申请日2019-04-16
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/24(20060101);H01L21/363(20060101);H01L29/778(20060101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙);
代理人张伟;魏娟
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
入库时间 2022-08-23 11:15:55
机译: 具有高电子迁移率的异质结电子元件
机译: 单片集成微波-具有阻挡层的电路-具有高电子迁移率的晶体管,以及-异质结双极晶体管及其制造方法
机译:具有高击穿电压的非隐栅准E模式双异质结AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的超薄沟道N极性GaN /(AlN,InAlN,AlGaN)高电子迁移率异质结中的非常高的沟道电导率
机译:一种新的结柱板AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管,具有高击穿电压和BALIGA的功率电子产品优点图
机译:铝酸镧-钛酸锶异质界面处的二维电子气。
机译:基于溶液处理的半导体金属氧化物异质结和拟超晶格的高电子迁移率薄膜晶体管
机译:GaN基异质结构分子射流下的外延优化:在硅衬底上具有高电子迁移率的晶体管中的应用
机译:用于高功率微波应用的异质结双极晶体管大信号模型