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机译:改进的金属辅助化学蚀刻方法,均匀,垂直和深硅结构
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech &
Nanobion i Lab Suzhou 215125 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech &
Nanobion NANO X Suzhou 215125 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech &
Nanobion i Lab Suzhou 215125 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech &
Nanobion i Lab Suzhou 215125 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Changchun Inst Opt Fine Mech &
Phys State Key Lab Appl Opt Changchun 130033 Peoples R China;
Huzhou Univ Dept Appl Phys Coll Sci Huzhou 313000 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech &
Nanobion i Lab Suzhou 215125 Peoples R China;
metal assisted chemical etching; deep silicon etching; silicon;
机译:改进的金属辅助化学蚀刻方法,均匀,垂直和深硅结构
机译:通过电偏流金属辅助化学蚀刻(EMaCE)对单晶硅和多晶硅进行高速,高纵横比,高均匀性和3D复杂性的深度蚀刻
机译:使用金属辅助化学蚀刻的深度和垂直硅块微加工
机译:用金属辅助化学蚀刻和电化学蚀刻形成硅中多孔结构的形成
机译:作为3D纳米制造平台的硅金属辅助化学蚀刻的开发。
机译:使用两步金属辅助化学刻蚀方法由冶金级硅粉形成硅纳米线填充膜
机译:使用两步金属辅助化学刻蚀方法由冶金级硅粉形成硅纳米线填充膜