机译:GE-SB-SE-TE膜原子层沉积的化学相互作用及其卵形阈值切换行为
Seoul Natl Univ Interuniv Semicond Res Ctr Dept Mat Sci &
Engn Seoul 08826 South Korea;
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机译:GE-SB-SE-TE膜原子层沉积的化学相互作用及其卵形阈值切换行为
机译:使用HGECL3和[(CH3)(3)Si](2)SE具有用于卵形阈值开关的离散馈电方法的原子层沉积
机译:Gexse1-x薄膜的原子层沉积,具有低阈值电压的耐能卵形阈值选择器
机译:ZrO_2薄膜的原子层化学气相沉积:生长动力学和介电行为的研究
机译:氮化镍膜的原子层沉积和直接液化化学气相沉积及其转化为硅化镍膜。
机译:通过原子层沉积和化学气相沉积在高纵横比结构中沉积的薄膜的ToF-SIMS 3D分析
机译:Gexse1x薄膜的原子层沉积,用于具有低阈值电压的耐久性卵形阈值选择器