机译:Gexse1-x薄膜的原子层沉积,具有低阈值电压的耐能卵形阈值选择器
机译:使用HGECL3和[(CH3)(3)Si](2)SE具有用于卵形阈值开关的离散馈电方法的原子层沉积
机译:使用HGECL3和[(CH3)(3)Si](2)SE具有用于卵形阈值开关的离散馈电方法的原子层沉积
机译:原子层沉积生长的ZnO薄膜具有低发射阈值的紫外线激发发射。
机译:薄膜应用的分子工程:区域选择性原子层沉积(ALD)和分子原子层沉积(MALD)。
机译:用于制造具有高激光诱导损伤阈值的HfO2 / Al2O3薄膜的原子层沉积
机译:相变存储器的组成控制的原子层沉积和具有高性能的卵形阈值开关
机译:二元和三元氧化物薄膜原子层外延低温沉积过程的研究