机译:通过[100]和[110]通过电子束区熔化的铱的单晶生长
Northwestern Polytech Univ State Key Lab Solidificat Proc Xian 710072 Shaanxi Peoples R China;
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Northwestern Polytech Univ State Key Lab Solidificat Proc Xian 710072 Shaanxi Peoples R China;
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Kunming Inst Precious Met Kunming 650106 Yunnan Peoples R China;
Kunming Inst Precious Met Kunming 650106 Yunnan Peoples R China;
Iridium; Electron-beam floating zone melting; Single crystal; Orientation competitive growth;
机译:通过[100]和[110]通过电子束区熔化的铱的单晶生长
机译:电子束在Si(100)衬底上诱导(100)和(110)CeO_2区域定向外延生长的二维控制
机译:电子束诱导的取向选择性外延在Ce(100)衬底上高度分离的CeO2(100)和(110)杂化取向结构
机译:在Si(100)基底上使用电子束诱导的定向外延生长CeO_2(100)和(110)区域的混合取向基底制备
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:使用快速原型技术制造的钛合金的评估-电子束熔化和激光束熔化
机译:通过增长方向选择的快速熔化生长(100),(110)和(111)取向的无缺陷Ge-On-Insululator
机译:(110)取向作为Ge上Gaas分子束外延生长的优选取向,si上的Gap和类似的Zincblende-on-Diamond系统