机译:深度水平对高功率AlGaN / GaN / SiC HEMTS的C-V特性的缺陷的影响
AO NPP Pulsar;
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机译:深度水平对高功率AlGaN / GaN / SiC HEMTS的C-V特性的缺陷的影响
机译:通过AlGaN / GaN / SiC HEMT中的电容和电导瞬态光谱进行深层研究
机译:预测微波和毫米波应用的深亚微米Algan / gan Hemt的最大振荡频率(f_(max))的新二维C-v模型
机译:漏极宽度对AlGaN / GaN / SiC HEMT中深缺陷电学行为的影响
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:通过低频噪声测量和sIms表征证明siC衬底上alGaN / GaN HEmT的生成 - 复合缺陷