机译:通过在3C-SiC / Si(111)模板上的分子束外延形成薄ALN层的奇异性,其中轴轴向轴偏离4度
ONSI Ltd Moscow 124482 Russia;
Natl Res Univ Elect Technol MIET Moscow 124498 Russia;
Joint Stock Co Epiel Moscow 124460 Russia;
ONSI Ltd Moscow 124482 Russia;
Natl Res Univ Elect Technol MIET Moscow 124498 Russia;
molecular beam epitaxy; MBE; gallium nitride; GaN; aluminum nitride; AlN; silicon carbide; 3C-SiC;
机译:通过在3C-SiC / Si(111)模板上的分子束外延形成薄ALN层的奇异性,其中轴轴向轴偏离4度
机译:超薄AlN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN膜的应变工程中的作用
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长期间在AlN缓冲层中形成永久性六角岛的机理
机译:MBE在3C-SiC / Si(111)模板上的Ga(Al)n的结构和形态学性质,具有轴外轴向衬底取向
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:Si在GaN / AlN / Si(111)等离子体辅助分子束外延中的作用:极性和反型
机译:使用氨分子束外延在4H-siC(0001)和si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量alN(0001)层的原位NC-aFm测量