机译:GaAs / Alxga1-XAS方抛物型双量子井HEMT结构增强电子迁移率
Natl Inst Sci &
Technol Dept Elect &
Commun Engn Berhampur 761008 Odisha India;
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机译:GaAs / Alxga1-XAS方抛物型双量子井HEMT结构增强电子迁移率
机译:势垒增量掺杂非对称GaAs / AlGaAs双量子阱结构中多子带电子迁移率的增强
机译:抛物线型Al
机译:电场诱导应变GaAs / InGaAs双量子阱结构中多子带电子迁移率的增强
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:GaAs / AlxGa1-xAs量子双环的电子结构
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机译:基于Gaas / alGaas的多量子阱高电子迁移率晶体管(HEmT)的分析和数值研究