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机译:审查 - SiC,GaN和AlGaN / GaN Hemt的充电和照片辅助非接触电气表征的最新进展
Semilab SDI Tampa FL 33617 USA;
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Semilab SDI Tampa FL 33617 USA;
Semilab SDI Tampa FL 33617 USA;
Semilab USA North Billerica MA 01862 USA;
SCIOCS Co Ltd Hitachi Ibaraki 3191418 Japan;
Semilab SDI Tampa FL 33617 USA;
机译:审查 - SiC,GaN和AlGaN / GaN Hemt的充电和照片辅助非接触电气表征的最新进展
机译:在Al_2O_3,Si和SiC衬底上外延生长的HEMT型AlGaN / AlN / GaN异质结构的电,光学和结构性质的比较
机译:带有锥形背面通孔的SiC上的AlGaN / GaN HEMT的制备和电性能
机译:SiC,GaN和AlGaN / GaN Hemt的最新充电和照片辅助非接触式电气表征
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:三维仿真支撑的SiC基板上AlGaN / GaN Multifiger功率HEMTS热性能的高级表征技术及分析