机译:N型Si / SiO2金属氧化物 - 半导体电容器的深层评估嵌入式GE量子点
Fac Sci LMON Monastir 5019 Tunisia;
Univ Ghent Dept Solid State Sci B-9000 Ghent Belgium;
Univ Ghent Dept Solid State Sci B-9000 Ghent Belgium;
机译:N型Si / SiO2金属氧化物 - 半导体电容器的深层评估嵌入式GE量子点
机译:MOCVD生长的InAs量子点嵌入式GaAs金属氧化物半导体电容器中的漏电流特性
机译:嵌入层组成不同的变质InAs / InGaAs量子点结构中的深能级
机译:具有嵌入式GE量子点的N型Si / SiO_2金属氧化物半导体电容器的深层评估
机译:砷化镓衬底被误切对砷化铟量子点光电性能的影响:通过光反射(PR)和深能级瞬态光谱(DLTS)检查。
机译:单电子泵浦硅金属氧化物半导体量子点
机译:用嵌入在SiO2和Si3N4中的Ge量子点进行光收集
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管