SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源

沈今楷; 吴兴龙; 袁仁宽; 谭超; 邓树胜; 鲍希茂

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SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源

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我们借助傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及光致激发谱(PLE),研究了SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源.谱分析表明,该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位,而与锗的氧化物紧密相关.PLE的结果证实它们来源于GeO色心Tn′→So的光学跃迁,给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程.

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来源
《发光学报》|2001年第4期|339-342|共4页
作者
沈今楷; 吴兴龙; 袁仁宽; 谭超; 邓树胜; 鲍希茂;
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作者单位

南京大学物理系,;

南京大学物理系,;

南京大学物理系,;

南京大学物理系,;

南京大学物理系,;

南京大学物理系,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
光荧光; 磁控溅射; 红外光发射; CeO色心;
入库时间 2023-07-25 14:48:54

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