机译:使用NiO缓冲层通过雾化学气相沉积在C平面蓝宝石上的单相epsilon-Ga2O3薄膜的异质生长
Kyoto Inst Technol Dept Elect Sakyo Ku Kyoto 6068585 Japan;
Kyoto Inst Technol Fac Elect Engn &
Elect Sakyo Ku Kyoto 6068585 Japan;
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机译:使用NiO缓冲层通过雾化学气相沉积在C平面蓝宝石上的单相epsilon-Ga2O3薄膜的异质生长
机译:使用α-Fe2O3缓冲层通过薄雾化学气相沉积法在a,m和r面蓝宝石衬底上外延生长α-Ga2O3薄膜
机译:薄雾化学气相沉积法在c面AIN模板上异质外延生长£-(Al_xGa_(1-x))_ 2O_3合金膜
机译:薄雾化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长带缓冲层的氧化锡膜
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:通过化学气相沉积法大面积生长均匀的单层MoS2薄膜
机译:α-(ALXGA1-X)2O3单层和异质结构缓冲剂,用于通过雾化学气相沉积生长导电Sn掺杂α-Ga2O3薄膜