首页> 外国专利> THIN FILM FORMATION BY ATOMIC LAYER GROWTH AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

THIN FILM FORMATION BY ATOMIC LAYER GROWTH AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

机译:通过原子层生长和化学气相沉积形成薄膜

摘要

A method for forming a thin film on a substrate using a showerhead includes forming an atomic layer deposition (ALD) film and a chemical vapor deposition (CVD) film continuously, or forming a thermal ALD film and a plasma ALD film continuously, by using a showerhead including an upper compartment and a lower compartment which is disposed underneath and overlapped by the upper compartment as viewed in an axial direction of the showerhead and is not gas-communicated with the upper compartment.
机译:一种使用喷淋头在基板上形成薄膜的方法,该方法包括连续形成原子层沉积(ALD)膜和化学气相沉积(CVD)膜,或连续形成热ALD膜和等离子体ALD膜。莲蓬头,包括上部隔室和下部隔室,该下部隔室在喷淋头的轴向观察时被布置在下部隔室的下方并且与上部隔室重叠,并且不与上部隔室进行气体连通。

著录项

  • 公开/公告号US2007264427A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIROSHI SHINRIKI;JUNICHI ARAMI;

    申请/专利号US20060613089

  • 发明设计人 HIROSHI SHINRIKI;JUNICHI ARAMI;

    申请日2006-12-19

  • 分类号C23C16/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:14:52

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号