机译:薄雾化学气相沉积法在c面AIN模板上异质外延生长£-(Al_xGa_(1-x))_ 2O_3合金膜
Kyoto Inst Technol, Dept Elect, Kyoto 6068585, Japan;
Kyoto Inst Technol, Fac Elect Engn & Elect, Kyoto 6068585, Japan;
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机译:使用NiO缓冲层通过雾化学气相沉积在C平面蓝宝石上的单相epsilon-Ga2O3薄膜的异质生长
机译:薄雾化学气相沉积两腔系统对α-(Al_xGa_(1-x))_ 2O_3的带隙工程及维加德定律的验证
机译:喷雾辅助雾化化学气相沉积法在蓝宝石上刚玉结构的α-(AlGa)_2O_3薄膜的生长和带隙控制
机译:薄雾化学气相沉积法在立方(111)GGG衬底上异质外延生长ε-Ga2O3薄膜
机译:化学气相沉积金刚石和非晶硅碳合金薄膜生长和成核的研究
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:α-(ALXGA1-X)2O3单层和异质结构缓冲剂,用于通过雾化学气相沉积生长导电Sn掺杂α-Ga2O3薄膜
机译:用于器件应用的金属有机化学气相沉积异质外延生长3-5个半导体化合物。最终报告,1983年10月至1987年8月。