机译:通过热力模拟通过氢-CVD或Si升华SiC的石墨烯生长的比较研究
Univ Cote dAzur CNRS CRHEA Nice France;
Univ Grenoble Alpes CNRS Grenoble INP SIMaP F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS Grenoble INP SIMaP F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CEA LETI F-38000 Grenoble France;
Univ Cote dAzur CNRS CRHEA Nice France;
Univ Cote dAzur CNRS CRHEA Nice France;
Univ Cote dAzur CNRS CRHEA Nice France;
Univ Cote dAzur CNRS CRHEA Nice France;
机译:通过热力模拟通过氢-CVD或Si升华SiC的石墨烯生长的比较研究
机译:在6H-SiC衬底上升华生长的3C-SiC层的比较研究
机译:Si升华梯度在4H-SiC(0001)上进行空间梯度石墨化,以实现高质量的外延石墨烯生长
机译:真空升华增长:6H-SIC'立场竞争'外延和6C-SIC底板上生长的3C-SIC外延层的研究
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:从头算分子动力学模拟揭示石墨烯单空位磁态的热力学稳定性
机译:超高压中硅升华在3C SiC上外延石墨烯生长