結晶状態を複合化させたSiCナノチューブの作製手法を開発

摘要

日本原子力研究開発機構先端基礎研究センターの朝岡秀人研究主席、同機構量子ビーム応用研究センターの田口富嗣研究主幹らは、結晶状態を複合化させた炭化ケイ素（SiC）系ナノチューブの作製手法を開発した。イオン照射によりナノチューブの形状を保ったまま結晶状態を制御することに成功。他のセラミックナノ材料にも適用できる。SiCの結晶状態は、多結晶やアモルファスなど4種類あり、それぞれ異なる電気·光学特性をもつ。結晶状態を制御し、複合化することで材料の高性能化が期待されている。ただ、これまではナノチューブの形状を保ったまま制御できなかった。