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张玉明; 张义门; 罗晋生;
西安电子科技大学微电子所;
西安交通大学微电子工程系;
碳化硅; 场效应晶体管; MOS;
机译:基于6H-SiC离子敏感场效应晶体管的pH米研究
机译:外延石墨烯/ 6H-SiC场效应晶体管的漏电流深能级瞬态光谱研究
机译:外延石墨烯/ 6H-SIC场效应晶体管的漏极电流深水位瞬态光谱研究
机译:Si纳米线和基于二维MoS2的场效应晶体管中的电子传输和低频噪声表征。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:基于CO-CR-MO合金的CO-CR-MO-FE-MN-W和CO-CR-MO-FE-MN-W-AG高熵合金的研制
机译:远程截止mOs场效应晶体管的研制
机译:将漏极-延伸-mos-场效应晶体管的制造方法和漏极-延伸-mos-场效应晶体管以及电子部件的布置与漏极-延伸的-mos场效应晶体管-并联。
机译:用于制造集成式MOS场效应晶体管的方法,特别是具有互补MOS场效应晶体管的电路,该互补MOS场效应晶体管的附加导体层包括金属硅化物
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