High temperature property studies of the 6H-SiC MOS capacitor

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• 来源
  《中国科学:物理学 力学 天文学（英文版）》 |2011年第1期|95-97|共3页
• 作者

  MU WeiBing; GONG Min; CAO Qun;

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• 作者单位

  School of Physical Science and Technology Sichuan University Chengdu 610064 China;

  Institute of Electricity Engineering CAEP Mianyang 621900 China;

  School of Physical Science and Technology Sichuan University Chengdu 610064 China;

  Key Laboratory of Radiation Physics and Technology(Sichuan University) Ministry of Education Chengdu 610064 China;

  School of Physical Science and Technology Sichuan University Chengdu 610064 China;

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• 收录信息 北京大学中文核心期刊目录(北大核心);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类
• 关键词

• 入库时间 2022-08-19 04:51:38