机译:用工程ZnO电荷阱层对机械柔性存储器薄膜晶体管操作稳定性的特征
Kyung Hee Univ Dept Adv Mat Engn Informat &
Elect Yongin 17104 Gyeonggi Do South Korea;
Kolon Ind Inc Yongin 16910 Gyeonggi Do South Korea;
Kolon Ind Inc Yongin 16910 Gyeonggi Do South Korea;
Elect &
Telecommun Res Inst Daejeon 34129 South Korea;
Kyung Hee Univ Dept Adv Mat Engn Informat &
Elect Yongin 17104 Gyeonggi Do South Korea;
thin-film transistor (TFT); charge-trap memory; polyimide; oxide semiconductor; flexible electronics;
机译:用工程ZnO电荷阱层对机械柔性存储器薄膜晶体管操作稳定性的特征
机译:电荷陷阱层电导率控制对使用IGZO通道和ZnO电荷陷阱层的顶栅存储薄膜晶体管的器件性能的影响
机译:使用In-Ga-Zn-O通道和ZnO电荷陷阱层的光稳定透明非易失性存储器薄膜晶体管
机译:利用HfO
机译:溶液处理纳米材料的合成,表征和应用:从薄膜晶体管到柔性“智能绷带”
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:具有工程波状尺寸结构的可拉伸电荷 - 陷阱存储器晶体管机械耐久性的改进
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。