H_2O_2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响

摘要

通过射频磁控溅射ZnO薄膜的方法制备了以ZnO为有源层的薄膜晶体管器件。研究了H_2O_2处理ZnO薄膜的不同位置对TFT器件的影响。采用PL测试表征材料的缺陷密度,用SEM表征了氧化处理前后的ZnO薄膜材料的表面形貌。结果表明利用H_2O_2处理ZnO薄膜与源漏电极的接触界面会使器件的关态电流降低2个数量级,氧化处理后的ZnO薄膜具有较低的缺陷密度和较好的结晶状态,TFT器件的电流开关比为7.5×10~5,阈值电压V_(th)为9V,亚阈值摆幅为2V/decade,场效应迁移率为0.85cm·V^(-1)·s^(-1)。