...
机译:射频功率对薄膜晶体管沟道层应用溅射ZnO薄膜性能的影响
Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apdo. Postal 1-798, Querétaro, Qro, 76001, México;
Departamento de Investigación en Física, Universidad de Sonora, Apdo. Postal 5-088, Hermosillo, Son., 83000, México;
Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75083, USA;
Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75083, USA;
Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apdo. Postal 1-798, Querétaro, Qro, 76001, México;
Highly resistive zinc oxide films; thin-film transistor; RF power; magnetron sputtering;
机译:射频功率对薄膜晶体管沟道层应用溅射ZnO薄膜性能的影响
机译:不同磁控溅射功率300℃沉积Ga_2O_3-ZnO薄膜的光电性能及其在p-i-nα-Si:H薄膜太阳能电池中的应用
机译:不同磁控溅射功率300°C沉积Ga2O3-ZnO薄膜的光学和电学性质及其在p-i-nα-Si:H薄膜太阳能电池中的应用
机译:电气稳定的ZnO通过用于薄膜晶体管(TFT)应用的反应性RF磁控溅射产生
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:不同金属覆盖层对P沟道SnO薄膜晶体管电性能和稳定性的影响
机译:用TCAD研究薄膜晶体管HFO2-ZnO双层通道电气性能
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。