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机译:添加剂对Cu / SiO2 / Si衬底Cu膜电化学生长的影响通过Cu的交替介绍和表面积有限氧化还原置换
Natl Formosa Univ Dept Mat Sci &
Engn Yunlin 63201 Taiwan;
Natl Formosa Univ Dept Mat Sci &
Engn Yunlin 63201 Taiwan;
Natl Formosa Univ Dept Mat Sci &
Engn Yunlin 63201 Taiwan;
Natl Chi Nan Univ Dept Elect Engn Nantou 64561 Taiwan;
Feng Chia Univ Dept Mat Sci &
Engn Taichung 40724 Taiwan;
Electrochemical deposition; underpotential deposition; surface-limited redox replacement; Cu film; Co substrate;
机译:添加剂对Cu / SiO2 / Si衬底Cu膜电化学生长的影响通过Cu的交替介绍和表面积有限氧化还原置换
机译:通过Co的欠电位沉积和控制Cu的表面受限氧化还原置换的时间来生长Cu(Co)膜
机译:通过有限的氧化还原置换和欠电位沉积逐层沉积的Cu和Cu(Mn)膜
机译:通过电化学原子层外延(EC-ALE)形成通过电化学沉积物形成的Cu原子层置换的研究,形成Pt纳米丝
机译:脉冲激光沉积生长的外延YBa2Cu3O7-8薄膜和YBa2Cu3O7-8 / PrBa2Cu3O7-8异质结构的超导性能
机译:铜污染农业土壤中植物促生长细菌(PGPB)接种对油菜生长的抗氧化活性铜吸收和细菌群落结构的影响
机译:Cu(CO)薄膜通过巩固CU的沉积和控制CU的表面有限氧化还原的时间
机译:离子辅助激光沉积中间层,用于在多晶和非晶基板上生长YBa2Cu3O(7-δ)薄膜