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机译:通过有限的氧化还原置换和欠电位沉积逐层沉积的Cu和Cu(Mn)膜
Natl Formosa Univ, Dept Mat Sci & Engn, Huwei 63201, Taiwan;
Natl Formosa Univ, Dept Mat Sci & Engn, Huwei 63201, Taiwan;
Natl Chi Nan Univ, Dept Elect Engn, Nantou 54561, Taiwan;
Feng Chia Univ, Dept Mat Sci & Engn, Taichung 40724, Taiwan;
Feng Chia Univ, Dept Mat Sci & Engn, Taichung 40724, Taiwan;
Electrochemical atomic layer deposition; Underpotential deposition; Surface-limited redox replacement; Cu film; Cu(Mn) film; Cu interconnects;
机译:通过Pb的潜伏沉积Cu(Ru)膜的电化学生长,表面有限的氧化还原替代Cu,Ru的潜在沉积
机译:通过Co的欠电位沉积和控制Cu的表面受限氧化还原置换的时间来生长Cu(Co)膜
机译:添加剂对Cu / SiO2 / Si衬底Cu膜电化学生长的影响通过Cu的交替介绍和表面积有限氧化还原置换
机译:通过电化学原子层外延(EC-ALE)形成通过电化学沉积物形成的Cu原子层置换的研究,形成Pt纳米丝
机译:脉冲激光沉积生长的外延YBa2Cu3O7-8薄膜和YBa2Cu3O7-8 / PrBa2Cu3O7-8异质结构的超导性能
机译:Cu(InGa)O2纳米粒子的制备及其逐层溶液沉积并转化为Cu(InGa)S2膜
机译:Cu(CO)薄膜通过巩固CU的沉积和控制CU的表面有限氧化还原的时间