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利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的设备

摘要

本发明提供了一种利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的设备。在包括窄和宽构造的衬底上形成平坦化导电材料。导电材料通过一系列沉积过程形成。第一沉积过程形成导电材料的第一层,其填充窄构造并且至少部分填充宽构造。第二沉积过程在第一层的空腔内形成导电材料的第二层。柔性材料可以减少衬底上第一层的厚度,同时将溶液递送到空腔中以在其中形成第二层。柔性材料可以是与充满所述溶液的可加压容器相连的多孔膜。柔性材料也可以是使用所述溶液润湿的多孔性材料。

著录项

  • 公开/公告号CN101174545B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰姆研究公司;

    申请/专利号CN200710135785.3

  • 发明设计人 弗雷德·C·雷德克;约翰·博伊德;

    申请日2004-03-23

  • 分类号

  • 代理机构上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人樊英如

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-11

    授权

    授权

  • 2008-07-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-07

    公开

    公开

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