...
机译:在应变工程化(111)Si / Si1-XGEx上的GaN杂痘
Penn State Univ Dept Mat Sci &
Engn University Pk PA 16802 USA;
Penn State Univ Dept Mat Sci &
Engn University Pk PA 16802 USA;
Mat Characterizat Lab University Pk PA 16802 USA;
Penn State Univ Dept Mat Sci &
Engn University Pk PA 16802 USA;
Metalorganic chemical vapor deposition; GaN; in situ stress; silicon-germanium; threading dislocation density; crack density;
机译:在应变工程化(111)Si / Si1-XGEx上的GaN杂痘
机译:使用人造界面格设计,钙钛矿(111)SRTIO3的杂肝(111)SRTIO3
机译:(111)硅上GaN / AlN异质外延中的断线和反型畴形成
机译:等离子体辅助MBE用于GaN异质外延的不同Si(111)表面制备方法的研究
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:等离子体辅助分子束外延通过液滴外延对Si(111)上的GaN纳米点进行表征和密度控制
机译:使用铝诱导结晶形成的Si(111)模板层对非单晶基材上的高度导向GaN薄膜的杂膜(Physte Solidi RRL 3/2018)