Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程

摘要

采用磁控溅射法在Si(111)衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：(1)在900℃氮气气氛中退火,非晶态GaN保持不变；(2)在900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN,但却出现中间相金属Ga；(3)在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中,GaN晶粒将逐渐增大。