机译:悬空粘合缺陷和晶界对多晶3C SiC捕获重组过程的影响
Semiconductors; Grain boundaries; Point defects; Recombination and trapping; Electron paramagnetic resonance; Photoconductivity and photovoltaics;
机译:悬空粘合缺陷和晶界对多晶3C SiC捕获重组过程的影响
机译:具有负温度依赖性的多晶硅中的晶界限制载流子迁移率:基于陷阱辅助隧穿的通过晶界陷阱的载流子传导模型
机译:辐照SiC晶界处的点缺陷复合效率
机译:氢化微晶硅中陷阱键结合的光强度和温度依赖性
机译:载体转运,重组和晶界在多晶镉碲化镉薄膜中的光伏
机译:钙钛矿太阳能电池中的重组:晶界的重要性界面陷阱和缺陷离子
机译:钙钛矿太阳能电池中的重组:晶界,界面陷阱和缺陷离子的意义。
机译:悬空键缺陷对a-si:H中重组的影响