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张欢; 何文远; 严鑫洋; 郑学军;
湘潭大学机械工程学院;
湘潭大学复杂轨迹加工工艺及装备教育部工程研究中心;
原子力显微镜; 开尔文显微镜; 晶界; MoS2; MoSe2; 棘轮效应; 压电效应; 摩擦性能;
机译:缩回通知“通过施加电场”[Appl,提高Ti掺杂MOSE_2和MOS_2单层的吸附性能和感测性能和感测性能。冲浪。 SCI。 512(2020)145758]
机译:通过施加电场增强Ti掺杂的MoSe_2和MoS_2单层的吸附性能和传感能力
机译:原子模拟模拟点和晶界缺陷对单层MoS_2拉伸力学行为的影响
机译:对准的多晶硅晶界对大晶粒多晶硅MOSFET性能的影响分析
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:全氟和烷基膦酸自组装单层膜对Ti-DLC涂层的摩擦学和抗菌性能的影响
机译:在多晶单层MOS2中的晶界脱位播种的优先PT纳米光泽粉
机译:晶界对多晶硅薄膜电性能的影响。进展报告,1980-1981
机译:铝合金晶界和锻造材料的优异抗晶界腐蚀性能
机译:具有受控晶界介电膜的多晶通道形成多晶通道的方法
机译:在多晶材料中工程化相干孪晶和重合位点晶格晶界的工艺
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