机译:通过施加电场增强Ti掺杂的MoSe_2和MoS_2单层的吸附性能和传感能力
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China;
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China|China Univ Geosci Sch Environm Studies Wuhan 430074 Peoples R China;
Ton Duc Thang Univ Dept Management Sci & Technol Dev Ho Chi Minh City Vietnam|Ton Duc Thang Univ Fac Social Sci & Humanities Ho Chi Minh City Vietnam;
Hezhou Univ Sch Informat & Commun Engn Hezhou 542899 Peoples R China;
Density functional theory; Ti-doped MoS2; MoSe2; Gas sensing; External electric field;
机译:缩回通知“通过施加电场”[Appl,提高Ti掺杂MOSE_2和MOS_2单层的吸附性能和感测性能和感测性能。冲浪。 SCI。 512(2020)145758]
机译:理论上洞察到MoS_2(MoSe_2)单层上氢吸附与双轴应变/外部电场的关系
机译:理论洞察MOS_2(MOSE_2)单层作为双轴应变/外电场的函数的理论洞察
机译:MOS_2纳米盖上的单层:提高原子单层内的浅点相互作用
机译:压电转导的ZnO-型谐振器,具有增强的信噪比和用于感测和无线通信应用的动力处理能力
机译:气体分子在单层MoS2上的吸附及施加电场的影响
机译:提高MOSE2单层对电场诱导气体吸附的敏感性