机译:理论洞察MOS_2(MOSE_2)单层作为双轴应变/外电场的函数的理论洞察
Changchun Univ Coll Sci Changchun 130022 Jilin Peoples R China;
Changchun Univ Coll Sci Changchun 130022 Jilin Peoples R China;
Jilin Univ Key Lab Automobile Mat MOE Changchun 130012 Jilin Peoples R China|Jilin Univ Dept Mat Sci Changchun 130012 Jilin Peoples R China;
HER; DFT; MoS2; Electronic structures; Adsorption; Strain;
机译:理论上洞察到MoS_2(MoSe_2)单层上氢吸附与双轴应变/外部电场的关系
机译:缩回通知“通过施加电场”[Appl,提高Ti掺杂MOSE_2和MOS_2单层的吸附性能和感测性能和感测性能。冲浪。 SCI。 512(2020)145758]
机译:通过施加电场增强Ti掺杂的MoSe_2和MoS_2单层的吸附性能和传感能力
机译:双轴菌株的单层MOSE_2电子传输系数的调节
机译:外部电场对介电材料分离的活性炭上氢吸附的影响。
机译:气体分子在单层MoS2上的吸附及施加电场的影响
机译:C3N Monolayer:探索具有ADATOM吸附,官能化,电场,充电和应变的新型电子和磁性性能的新兴