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公开/公告号CN112371076B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-29
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202011207496.1
发明设计人 杨婷;王平;吴茜;杨涵;刘妍;
申请日2020-11-03
分类号B01J20/02(20060101);B01J20/06(20060101);B01D53/02(20060101);G06Q10/04(20120101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;王玺钧
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 12:41:07
机译: 基于Al掺杂ZNO纳米棒的太阳能电池透明导电氧化物基质的制备方法
机译: 发光二极管,包括基于AlN P掺杂的半导体,其中镁原子和掺杂金刚石层
机译: 制造P型基于ZnO的半导体层的方法,制造基于ZnO的半导体器件晶片的方法,制造基于ZnO的半导体器件的方法以及基于ZnO的半导体器件晶片的方法
机译:Al,Ga和原子掺杂ZnO单层透明电极的比较研究
机译:基于Al掺杂HFO_2的铁电电容器的物理性质通过原子层沉积在Si上生长
机译:由连续离子吸附和反应方法沉积的分层3D Al掺杂ZnO纳米片阵列的非线性光学研究
机译:通过连续离子层吸附和反应和水热方法的ZnO纳米结构的基于AlGainP的LED
机译:Czochralski种植铈和钙共掺杂钇铝石榴石,铈和锂共掺杂钇铝石榴石的原子缺陷,掺杂锂铝酸盐
机译:AlGa和原子掺杂ZnO单层透明电极的比较研究
机译:掺杂al,Ga和In原子的ZnO单层膜作为透明电极的比较研究
机译:ZnO:al掺杂水平和氢生长环境对CIGs太阳能电池性能的影响:预印