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基于掺杂Al原子单层ZnO的HF吸附性能预测方法

摘要

本发明公开了一种基于掺杂Al原子单层ZnO的HF吸附性能预测方法,其方案是:构建本征ZnO单层模型;根据不同吸附位点和HF分子取向,分别构建HF吸附在本征ZnO单层上和吸附在Al掺杂的ZnO单层上的模型;计算每种吸附模型的结构稳定性和电子性质,得到HF吸附在本征ZnO单层上和Al掺杂的ZnO单层上的吸附能、吸附高度、结构参数、能带结构、态密度、密立根电荷布居及差分电荷密度。本发明通过仿真预测出了Al掺杂的ZnO单层材料对HF有良好吸附效果,且比本征ZnO单层吸附效果更敏感的结果,为更好利用该材料对HF这一有毒气体进行检测提供了实验依据,可用于设计基于掺杂Al原子单层ZnO材料的HF气体探测器。

著录项

  • 公开/公告号CN112371076B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202011207496.1

  • 发明设计人 杨婷;王平;吴茜;杨涵;刘妍;

    申请日2020-11-03

  • 分类号B01J20/02(20060101);B01J20/06(20060101);B01D53/02(20060101);G06Q10/04(20120101);

  • 代理机构61205 陕西电子工业专利中心;

  • 代理人王品华;王玺钧

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 12:41:07

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